兆易創新業務重大突破 勢打破外資壟斷格局

撰文：SmartED編輯部｜圖片：unsplash、iStock圖片、網站圖片

公司主要業務為快閃記憶體芯片及其衍生產品、微控制器產品和傳感器的研發；主要產品分為快閃記憶體芯片產品、微控制器產品，以及今年新增加的指紋傳感器產品。快閃記憶體芯片產品方面，主要為代碼型快閃記憶體芯片（NOR Flash），以及數據型快閃記憶體芯片（NAND Flash）兩類。

隨人工智能（AI）、物聯網（loT）和虛擬現實境（VR）等新興技術出現，集成電路產品的市場需求，更不斷擴大。去年內地半導體市場規模達1,550億美元，半導體產量佔比15.3%，高於2013年前的 12.6%。同時分析預測，到2023年比率將提升至 20.5%。

NOR Flash量價齊升

而細分快閃記憶體產品市場方面，調查數據指出2018年獨立式存儲器市場銷售總額約1,650億美元，當中NOR Flash產品的全球銷售分額1.6%；NAND Flash產品的全球銷售分額為36%。隨更多流動電話開始配置NOR Flash，尤其是智能手機中的顯示器，公司相信，手機應用市場快速發展、物聯網、工控應用等新興領域，將也為NOR Flash帶來新增長點。分析指出，物聯網的需求在於讀取速度快和高可靠性，令NOR Flash成為首選。加上目前供應開始出現樽頸，同業華邦、旺宏等庫存水平顯著下降，9月以來NORFlash的價格已開始上升，相信業務短期內，有望迎來量價齊升階段。

最近，公司在快閃記憶體芯片業務取得重大突破。由合肥產投與兆易創新共同出資組建的合肥長鑫，宣布投產12英寸動態隨機存取記憶體（DRAM）生產線，成為內地第一枚自主研發的19nm DRAM芯片。合肥長鑫的順利投產，意味內地在DRAM領域「零的突破」，意義重大。

長鑫存儲項目一期設計產能每月12萬片，三期滿產後產能將達到每月36萬片。產值規模預計超過2,000億元人民幣，僅次於三星（Samsung）、海力士和鎂光，大行相信公司有力突破三家巨頭的壟斷。

募集資金用於DRAM芯片研發

截至目前，公司在有關方面的研發，已投入超過25億美元，投入用於研發的晶圓約20,000片。大行表示，當中8GB DDR4的快閃記憶體，通過多個國內外大客戶的驗證，將於今年底正式交付，又透露一款供流動終端使用的低功耗產品，也即將投產。大行指出，內地是全球最大的DRAM需求市場，佔全球DRAM 60%以上需求分額，DRAM是兵家必爭之地。但內地目前主流DRAM產品，自給率幾乎為零。

2019至2021年預計，單是內地市場規模為2,790億、3,345億、4,505億元人民幣，預計隨第五代流動電話（5G）時代的來臨，市場將會進一步增長。在合肥長鑫取得突破性進展的同時，公司本身亦積極開發自身的DRAM業務。公司早前發布非公開發行股票預案，擬募集不超過43億元人民幣。其中33.2億元人民幣，將用於DRAM芯片研發及產業化項目；10億元人民幣用於補充流動資金。

公司在公告中指出，三星、海力士、美光三家企業，佔據了整個內地DRAM存儲器市場的97.6%。內地企業對DRAM芯片議價能力很低，亦令DRAM芯片，成為內地受制最嚴重的基礎產品之一，而國家亦推出多項規劃和政策，加強對存儲器行業的部署。在國產替代的大趨勢下，大行預計通過本次非公開發行，公司將可以加快業務發展，有望進一步掌握DRAM技術，同時具備DRAM產品設計能力。屆時公司在存儲器市場，將成為覆蓋Flash、DRAM的企業，競爭力及行業地位將得到大幅提升。

新產品強化市場優勢

在大力發展DRAM技術的同時，公司的另一核心產品微控制單元（MCU）表現穩健，支撐業績。今年上半年公司收入12.02億元人民幣，按年上升8.63%；純利1.87億元人民幣，按年跌20.24%。單看第二季，公司收入7.45億元人民幣，按年升31.98%；純利1.48億元人民幣，按年升1.43%，好過市場預期。大行認為，業績勝預期的主要原因，是MCU需要在第二季強勁反彈，第二季按季升超過40%，同時6月單月創紀錄地出貨1,050萬枚。

在產品組合方面，公司針對高性能、低成本和物聯網應用分別開發了新產品。加上更低功耗系列產品推出，進一步加強市場的領先優勢。

兆易創新股價早前升穿180元人民幣，創近一年新高。近日回落至140元人民幣以下水平，短期支持位120元人民幣，可在有關水平追入，目標價看150元人民幣。本週五（10月18日）兆易創新股價收報132元人民幣。