長鑫存儲強勢崛起 引領國產存儲芯片實現突破
長鑫存儲創始人朱一明，1972年出生於江蘇鹽城市阜寧縣，他先後在清華大學讀完本科和碩士，又在美國紐約州立大學石溪分校，獲得物理學碩士學位和電子工程系碩士學位。
2000年畢業後，朱一明留在美國矽谷工作，先後在iPolicy Networks Inc.任資深工程師及
Monolithic System Technologies Inc.任項目主管，積累了豐富的技術與管理經驗。
進軍DRAM藍海
2005年，朱一明辭去矽谷的高薪職位，回到北京，帶著眾多清華校友和投資人的資金，在北京學研大廈成立了北京芯技佳易微電子科技有限公司，生產研發存儲器芯片。
公司從Nor Flash存儲芯片入手，2008年設計大溫度範圍和高存儲密度產品，擊敗美國產品，並在當年發布內地首款180nm SPI NOR Flash產品，為中國存儲器產業發展奠定了基礎。
2010年芯技佳易更名「兆易創新」，逐漸在
Nor Flash產品市場站穩了陣腳。2013年，公司發布ARM Cortex-M3內核32位通用MCU和全球首顆SPI NAND Flash產品。2016年，兆易創新登陸上海交易所主板。
存儲器又稱內存，是半導體行業三大支柱之一，DRAM是最常見的內存芯片，是電子產品不可替代的關鍵戰略性元器件。
朱一明原本打算透過兆易創新收購北京矽成半導體來進軍DRAM領域，但最終無奈放棄，那麼還有第二條路——自己創業，而此時，合肥政府找上了他。
於是，由政府主導的國有資本平台合肥產投，解決了項目在技術成熟前長達數年、純市場化資本無法承受的巨額資金投入問題。
2016年長鑫存儲成立；2017年3月，長鑫存儲項目正式開工，合肥市政府承擔了四分之三的一期建設資金；兆易創新則投入了剩餘四分之一。
僅用十個月，廠房和相關設備安裝全部完工。
2018年1月，朱一明出任長鑫存儲和睿力公司行政總裁；同年合肥長鑫廠房建成，之後陸續完成安裝和驗機。
同年7月，公司驗證投片，成功試產8Gb DDR4工程樣品；2019年9月，長鑫存儲的DDR4規格DRAM芯片正式投產。
與兆易創新產生協同效應
此後，長鑫存儲持續加大投入，不斷推出創新產品。
2023年11月，公司首次推出LPDDR5系列DRAM產品，包括12GB的LPDDR5顆粒、POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片，其12GB版本LPDDR5先後在小米等國產品牌上完成機型驗證。
到2024年，長鑫存儲DDR4產品，已佔全球DRAM市場約5%的分額。
在朱一明的戰略布局中，兆易創新與長鑫科技具有「設計+製造」的協同效應，作為內地存儲芯片設計龍頭，兆易創新以Fabless模式（一種半導體產業運營模式，公司專注於晶片的電路設計與銷售，而將晶圓製造、封裝和測試等環節外包給專業的代工廠）為長鑫科技進一步拓寬細分市場。
長鑫科技則憑藉整合元件製造廠（Integrated Device Manufacturer, IDM）業務模式、領先的DRAM製造能力，為兆易創新保障供應鏈安全，共同進軍高端市場。
2024年3月，兆易創新向長鑫科技注資15億元人民幣，進一步強化協同。兆易創新2025年預計向長鑫科技採購金額達11.61億元人民幣；長鑫科技則將部分產能供應兆易創新。
今年6月，兆易創新謀在港上巿；短短一個月後，長鑫科技亦宣布完成IPO輔導，上市進程全面加速。
中韓技術差距不斷拉近
目前全球DRAM市場，分別由南韓三星（Samsung）、SK海力士與美光三大巨頭主導，合計市佔率超過90%，市場高度集中且供應鏈壁壘森嚴；但隨著長鑫存儲等國產廠商的持續攻堅，中韓技術差距不斷縮小。
作為新的入局者，能否擁有自身合規的技術來源及創新技術，是企業能否在DRAM領域存活的關鍵。
2019年5月，在上海舉辦的GSA MEMORY+峰會上，朱一明公布了長鑫的DRAM技術來源。
通過和德國英飛淩旗下的內存公司奇夢達合作，長鑫獲得了逾1,000萬份與DRAM相關的技術文件（約2.8TB數據）及16,000份專利，結合長鑫自身技術，至少在存儲器芯片領域，長鑫有穩定的技術來源和風險規避。
長鑫存儲在尖端科技範疇內，達成了從無到有、從弱變強的跨越，給整個國產集成電路產業的自主創新提供了可供借鑒的樣本，不僅改寫著全球存儲產業的格局，更見證著國產半導體產業的崛起歷程。
