【三星海力士記憶體庫存告急】庫存跌穿10日供應 AI基建投資上調至1.3萬億美元 韓證券行料明年史上最緊供應

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全球記憶體晶片市場正醞釀一場前所未有的供需風暴。韓國證券行9月7日發表報告指出,記憶體雙巨頭三星電子與SK海力士的庫存水平,已大幅下降至不足10天,反映市場已超出一般需求回升的範疇,實質可供銷售的存貨正陷入絕對短缺。這場短缺背後的推手,是全球AI基礎設施投資規模急速膨脹,令記憶體晶片需求增速遠超供應增長。

據報道,南韓KB證券在報告中指出,三星電子與SK海力士目前的記憶體庫存水平已跌至不足10天,是歷來罕見的低位。報告分析認為,全球大型雲端服務商明年的AI基礎設施投資預算,已進一步上調至約1.3萬億美元,按年大增六成。隨着AI技術逐步成熟並開始產生直接收益,相關資本開支的投放步伐明顯加快,直接推高對高階記憶體晶片的需求。

【佔比急升】記憶體晶片吃掉AI基建投資逾半

報告顯示,記憶體晶片在整體AI基礎設施投資中所佔的比重,正經歷結構性躍升——由去年(2025年)約14%,估計今年已升至約40%,明年更有機會進一步攀升至57%;市場調查機構TrendForce的預測更為進取,估計到2027年該比例甚至可能高達68%。換言之,AI基建的資本開支版圖,正快速由伺服器、晶片設計等環節,向記憶體晶片一端傾斜。

數據要點 內容 洞察
庫存水平 三星、SK海力士庫存跌穿10天 歷來罕見低位
AI基建投資 明年料達1.3萬億美元,按年增六成 直接推高記憶體需求
記憶體佔比 由去年14%升至明年57%,2027年或達68% 投資版圖向記憶體傾斜
HBM4產能 耗用產能為傳統DRAM的3倍 擠壓一般DRAM供應

【HBM搶產能】高階晶片愈生產 一般DRAM愈缺貨

造成供需嚴重失衡的關鍵原因,在於業界正加速轉向生產下一代高頻寬記憶體HBM4。據報道,KB證券研究員指出,生產一片HBM4晶圓所耗用的產能,相當於三片一般用途DRAM晶圓,意味HBM4產量每提升一步,可用於生產一般DRAM的晶圓便相應減少三倍。由於雲端服務商及AI晶片廠商對HBM4的需求殷切,兩大記憶體廠均將更多產能投向HBM4生產線,變相加劇一般DRAM及NAND快閃記憶體的供應緊張。KB證券預期,明年記憶體市場DRAM與NAND的需求增長,將超出供應增長逾10個百分點,形容明年將是「歷來供應最緊絀」的一年。

值得留意的是,儘管供需前景偏緊,兩間公司的股價近期卻由高位回落約38%,以2027年盈利預測計算的市盈率降至約3倍水平,反映市場對記憶體短缺利好業績的預期,與短期股價表現之間,仍存在一定落差。三星方面亦曾警告,記憶體多個產品線的「顯著短缺」情況,預計最少持續至2027年;SK海力士管理層更曾表示,短缺情況或會延續至2030年後。

短缺陰霾之下,記憶體價格走勢及供應分配,將直接左右下游伺服器、手機及消費電子產品的成本結構,亦是觀察全球AI資本開支熱潮能否持續的重要指標之一。

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撰文:經一編輯部