【AI掃貨記憶體暴漲700%】三星海力士遭美集體訴訟　指控合謀限產抬價　蘋果三星手機電腦或加價

全球AI伺服器需求持續爆發，正將記憶體晶片價格推向近年罕見高位。據市場調查機構數據，標準DRAM價格四年內累計暴漲約700%，第三季合約價料再按季升13%至18%，NAND快閃記憶體亦料升10%至15%。惟漲價潮同時觸發爭議——美國一宗集體訴訟入稟聯邦法院，指控三星電子、SK海力士及美光三大記憶體廠合謀限制傳統DRAM供應、人為推高價格。

DRAM四年暴漲700% AI吸走傳統產能

市場調查機構數據顯示，AI伺服器對高頻寬記憶體（HBM）需求急增，促使各大廠將產能重心轉移至HBM等高階產品，連帶擠壓傳統DRAM供應。今年第一季，三星及SK海力士已向伺服器、個人電腦及智能手機客戶提出加價，報價較去年第四季飆漲60%至70%；踏入第三季，市場預期DRAM合約價將再按季升13%至18%，NAND快閃記憶體合約價亦料升10%至15%，升幅雖較上季收窄，惟供應緊張情況預計持續至2027年。

三星海力士加速擴產 惟遠水難救近火

面對供應緊張，三星電子已提升本土DRAM及NAND快閃記憶體產線使用率，並決定重啟平澤廠房建設，目標2028年投產；SK海力士則加快清州M15X新廠籌備，聚焦DRAM及AI導向儲存產品，同時力爭提前完成龍仁半導體園區首座主要晶圓廠。惟業界普遍評估，新增產能由建廠到投產動輒需時數年，短期內難以緩解市場缺貨壓力。

美國集體訴訟：指控三星、海力士、美光合謀限產抬價

值得留意的是，三家記憶體大廠現正面臨一宗於美國加州聯邦法院提出的集體訴訟，原告為採購相關電子產品的消費者及企業。訴訟指控三大廠透過將產能集中投向AI導向的HBM產品、同時刻意壓縮傳統DRAM出貨量，人為造成傳統DRAM供應緊張及價格暴漲，訴狀形容有關現象為市場「末日式」漲價潮。案件現時仍屬訴訟初期階段，未有法院裁定，三大廠亦未就指控作出正式回應。值得一提的是，三星電子早於2005年亦曾捲入美國司法部提出的DRAM合謀定價案件，最終需支付3億美元和解。

消費電子連鎖反應：手機電腦料加價

記憶體成本上升的壓力已開始傳導至下游消費電子產品。市場調查機構對2026年個人電腦市場前景轉趨審慎，中性情境預測全年平均售價將上升4%至6%，最差情境下升幅甚至可能達8%；聯想及戴爾等主要品牌已率先將部分型號售價上調最多15%。智能手機及平板電腦亦難以獨善其身，早前已有科技巨企在業績會上直言，記憶體成本急升屬「百年一遇」級別，正直接侵蝕產品毛利率。

AI基建競賽帶動記憶體需求急升，本應純屬市場供求現象，惟美國集體訴訟的出現，令供應鏈是否存在人為操控嫌疑再度成為焦點。訴訟結果雖然仍待法院裁定，惟消費者及企業客戶已率先感受到成本上升的實質壓力，記憶體漲價潮最終能否降溫，仍要視乎各大廠擴產進度及訴訟後續發展。

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