【美光廣島擴建半導體廠】斥資1.5兆日圓 押注AI記憶體浪潮 日本政府補貼逾5000億日圓

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當人工智能晶片需求全球告急,美國記憶體大廠選擇在日本廣島下重注,這場斥資近百億美元的豪賭,能否讓日本重返半導體版圖核心?

美國記憶體晶片製造商美光科技已於今年 7 月 4 日在日本廣島舉行動工儀式,正式展開一項斥資 1.5 兆日圓(約 93 億美元)的半導體工廠擴建計劃。是次擴建聚焦生產高頻寬記憶體(HBM),以應付人工智能加速器對先進記憶體晶片與日俱增的需求,預計相關產品最快可於 2028 年年中開始出貨。

動工儀式規格甚高 美日高層同場見證

是次動工儀式由美光行政總裁 Sanjay Mehrotra 親自出席,日本經濟產業大臣赤澤亮正亦到場見證,反映日方對這項投資的重視程度。Mehrotra 在儀式上表示,美光首片 HBM 生產晶圓正正是在廣島製造,形容今次擴建是「當美國的膽識遇上日本的工藝,不會得出妥協的產物,而是世界頂尖的成果」。赤澤亮正則指出,隨著全球步入人工智能時代,市場對半導體的需求預期將會急速增長,形容穩定的供應體系「極為重要」。廣島廠現有設施早於 2013 年美光收購爾必達記憶體(Elpida Memory)後已投入 DRAM 生產,是次擴建屬於在既有基地上的重大加碼。

聚焦HBM產能 搶攻AI晶片供應鏈

高頻寬記憶體是人工智能處理器不可或缺的核心零件,包括輝達(Nvidia)等公司的 AI 加速器均需要依賴 HBM 提供高速數據傳輸能力。隨著生成式人工智能相關運算需求急升,HBM 已成為全球晶片供應鏈中最為緊絀的資源之一。美光是次擴建正是要提升 HBM 產能,與南韓 SK 海力士及南韓三星電子等主要對手爭奪市場份額,目標是在下一代圖形處理器所需的 HBM4 及 HBM4E 規格上取得優勢。有分析指出,廣島新產能全面提升後,預計要到 2030 年產量才會推向高峰。

日本政府大手筆補貼 背後供應鏈安全盤算

為爭取美光落戶,日本經濟產業省將提供最高 5,000 億日圓的資本開支補貼,若連同其他研發支援計算在內,日本政府迄今已為這項計劃提供合共約 7,750 億日圓的資助,換算補貼比例接近整體投資的三分之一。日本官方將半導體定位為攸關經濟安全的「極重要戰略物資」,希望透過扶植境內先進晶片產能,減低生產過度集中於台灣的地緣政治風險,此前日本亦曾向台積電熊本廠提供類似規模的補貼,顯示扶植本土及外資半導體產能已成為國策級別的長期部署。

全球擴產版圖 美光千億美元豪賭AI浪潮

廣島擴建僅是美光全球產能擴充計劃的其中一環。美光同時亦在美國愛達荷州博伊西擴建廠房,並在紐約州雪城附近興建一座投資額高達 1,000 億美元的大型晶片製造園區,整體全球擴產規模合計超過 2,000 億美元。市場人士指出,隨著各大科技公司加碼投資 AI 基建,記憶體晶片一度供不應求,帶動美光股價表現,惟消息公布後美光股價一度下跌逾 5%,反映市場對龐大資本開支能否轉化為長遠回報仍有分歧。

項目 細節 洞察
投資金額 1.5 兆日圓(約 93 億美元) 屬美光近年最大規模海外單一擴建項目之一
動工日期 2026 年 7 月 4 日 由行政總裁與日本經產大臣同場主持,官方規格甚高
主力產品 高頻寬記憶體(HBM),供 AI 加速器使用 直接對接輝達等 AI 晶片供應鏈,議價力提升
出貨時間表 預計 2028 年年中開始出貨,2030 年產能推向高峰 建廠到量產週期長,短期內未能紓緩 HBM 緊絀情況
日本政府支援 資本開支補貼上看 5,000 億日圓;連研發支援合共約 7,750 億日圓 補貼比例近整體投資三分之一,反映日方志在必得

從動工儀式的規格到補貼金額的規模,都可以看出這宗投資背後牽涉的不只是一間企業的產能布局,更是美日兩國在人工智能供應鏈上的角力籌碼。美光能否如期在 2028 年交出首批 HBM 產品,以及日本能否藉此重返先進半導體核心版圖,最終仍要視乎全球 AI 需求會否持續維持在目前的高速增長軌跡。

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撰文:經一編輯部