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中國版海力士發威!長鑫科技首掛狂飆逾5倍成A股一哥 市值3.6萬億壓過Intel 抽中一手賺逾2萬

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中國半導體板塊迎來歷史性一刻!有「中國版海力士」之稱嘅全球第四大 DRAM 製造商長鑫科技(688825.SH),今日(27日)正式登陸內地科創板。首日掛牌即上演資金狂潮,股價盤中一度狂飆超過 530%,市值飆升至 3.61 萬億元人民幣,唔單止直接登頂成為「A股一哥」,更一舉超越咗美股巨頭 Intel(英特爾)約 3.15 萬億元人民幣嘅市值。這場造就無數中籤股民與機構投資者暴富嘅資本盛宴背後,隱藏著點樣嘅國產替代邏輯同估值風控算盤?

估值大爆發:首掛狂飆 5 倍嘅底層邏輯

長鑫科技招股價為 8.66 元,今日開市已經高開報 49.5 元(升幅 471.59%),以每名中籤者獲分派 500 股計算,一開市賬面已經爆賺 2.04 萬元。其後升幅進一步擴大至超過 530%,成交額瞬間突破 1,200 億元。
點解長鑫可以炒到咁癲?核心在於「初始估值折讓」同「未來高增長預期」。長鑫初始市值為 5,800 億元,若按今年預計約 1,000 億元淨利潤計算,其上市初始市盈率(PE)僅約 5.9 倍。喺科創板首 5 個交易日不設漲跌幅限制嘅機制下,市場資金迅速將其估值推高至接近大行預期嘅 20 倍水平。大行野村更加極度樂觀,給予目標價 116 元,預期其估值將達到美國對手美光(Micron)嘅兩倍。

國產替代戰略:AI 時代嘅 DRAM 護城河

市場肯給予長鑫科技如此高嘅溢價,絕對唔止係睇市盈率,更重要係買佢嘅「戰略地位」。
作為全球第四大 DRAM 生產商,長鑫嘅晶片支撐住由智能手機到 AI 伺服器等各類設備。喺目前中美科技角力嘅大背景下,長鑫已經成為北京喺高頻寬記憶體(HBM,AI 數據中心嘅關鍵組件)等領域,降低對外國供應商依賴嘅「全村最大希望」。呢種具備強烈國策扶持與不可替代性嘅龍頭,自然成為長線資金(如險資、公募基金)嘅必配資產。

國家隊與巨頭盛宴:防範 ETF 淨值大幅波動風險

長鑫科技成功上市,背後嘅戰略投資者成為最大贏家,包括合肥市政府投資平台、國家大基金(國家集成電路產業投資基金)、阿里雲計算,以及同業兆易創新等。

不過,散戶喺狂熱追入之餘亦要留意合規風險。華夏基金等發行商已經發出警告:由於科創板首日股價波動極大,旗下部分參與申購嘅 ETF,其基金份額參考淨值(IOPV)目前僅包含 8.66 元發行價嘅估值,並未反映市場即時價格波動,投資者若盲目追入相關 ETF,可能會面臨極大嘅溢價與淨值誤差風險。

📊 數據/風控

核心變數與持份者 潛在市場風險與痛點 (Downside)
股價與估值狂飆
(首日升逾530%,PE逼近20倍)
短期資金過度透支未來數年利潤增長預期;首五個交易日後若熱情冷卻,可能面臨大幅回吐(殺估值)。 警惕高位接火棒: 中籤散戶應切實執行「高位食糊」紀律;未入貨者不宜喺千億成交嘅情緒高點盲目追高,應等待股價回歸均值、籌碼穩定後再作長線部署。
中美晶片博弈與 HBM 產能 儘管國內市佔率高,但若面臨海外進一步嘅半導體設備(如光刻機)出口禁令,長鑫擴產或 HBM 技術突破可能受阻。 國產供應鏈對沖: 長鑫嘅估值溢價包含咗「國產替代」嘅信念。投資者需密切注視美國對華晶片制裁嘅最新動態,此為影響長鑫基本面嘅最大外圍黑天鵝。
ETF 淨值誤差風險
(華夏基金發出警告)
ETF 二級市場價格與實際淨值(IOPV)嚴重脫節,散戶可能以極不合理嘅高溢價買入 ETF。 避開定價盲區: 喺新股上市首幾日,應避免透過交易相關半導體 ETF 來間接炒作長鑫,以免承受造市商定價延遲帶來嘅流動性陷阱。

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