【AI晶片恐慌】KOSPI觸發熔斷機制 SK海力士三星同步急挫　長鑫4F²技術搶閘超車三星兩年　400億美元回購提前完成

南韓股市10月13日經歷一場劇烈震盪。SK海力士（韓股代碼000660）與三星電子股價同步急挫，拖累KOSPI指數一度跌穿6,000點心理關口，韓國交易所於早市觸發賣盤方程式交易暫停機制，暫停程式賣盤5分鐘，屬年內第18次出現同類熔斷安排。綜合多方市場數據，KOSPI指數當日收市報6,035.35點，按日下跌約5.46%，盤中跌幅一度擴大至逾7%；SK海力士收市價較前一日下跌約10.09%，三星電子收市跌幅約7.39%。值得留意的是，網上流傳的跌幅數字版本不一，有說法提及跌幅達一成甚至雙位數百分比，惟經多方獨立市場數據交叉比對，目前並無任何一個經核實的收市數字顯示KOSPI單日跌幅達到12%或以上，相關極端說法暫未獲主流市場數據證實，讀者應以上述收市及盤中數字為準。

內地長鑫4F²技術搶閘　觸發拋售潮

觸發今次拋售的直接導火線，源自內地記憶體晶片廠長鑫科技（A股688825）的技術突破消息。市場數據顯示，長鑫科技宣布在新一代4F²架構DRAM技術取得進展，核心技術為自行研發的垂直環繞閘極（VSG）電晶體設計，相較目前主流的6F²架構，單位面積可容納的記憶體單元密度提升約三至五成。長鑫科技計劃於2026年底前推出採用4F²架構的伺服器級DDR5記憶體產品，比三星電子原定要到2028年才能商業化的同類技術路線圖，整體進度可能超前約兩年。

市場擔心，一旦長鑫科技的技術聲稱屬實並能夠實現具經濟效益的大規模量產，將會打破目前由南韓兩大廠與美國美光主導的全球記憶體市場格局，動搖SK海力士與三星電子過去一年憑藉AI伺服器需求推高的高估值基礎。不過亦有分析指出，長鑫科技的技術聲稱至今尚未經獨立第三方驗證，量產良率與實際商業化時間表仍存在不確定性，投資者宜審慎看待相關消息的真實影響力。

外資大手沽貨　10年期美債高息添壓

拋售壓力同時反映在資金流向上。10月13日當日，外資於KOSPI市場錄得大手淨沽貨，當中SK海力士與三星電子正是外資沽貨的主要對象，兩間公司合計被外資淨沽金額達數萬億韓圜規模。與此同時，10年期美國國債收益率維持在約5.2厘的高水平，持續偏高的融資成本亦加劇市場對於全球科技企業是否過度投入AI資本開支的質疑，令本已偏高估值的半導體板塊更容易受消息面衝擊而出現劇烈波動。

400億美元回購提前完成　支撐力減退

另一個值得留意的背景因素，是撐起KOSPI過去數月升勢的三星電子與SK海力士合共55萬億韓圜（約400億美元，折合約3,212億港元）股份回購計劃，已提前完成或接近尾聲。市場數據顯示，三星電子已於10月6日完成原定的股份回購計劃，較原本預期要到11月下旬才完成的時間表大幅提前；SK海力士的回購與註銷計劃亦已接近完成階段。分析指出，兩大企業的回購行動一直被視為支撐KOSPI指數的重要買盤力量，隨着回購計劃陸續完成，市場失去一個穩定的買方支柱，一旦遇上技術面或消息面衝擊，股價波動幅度便容易被放大。

財報數字亮麗　難擋估值修正壓力

值得一提的是，今次拋售潮發生之際，SK海力士與三星電子本身的基本面表現其實相當亮麗。根據企業公布，SK海力士第二季度收入達79.3187萬億韓圜，按年大增約257%；經營溢利達60.5426萬億韓圜，按年飆升約557%，刷新公司歷史紀錄，主要受惠於AI伺服器對高頻寬記憶體（HBM）的持續強勁需求。三星電子方面，市場數據顯示其第三季初步經營溢利達107.4萬億韓圜，按年增長近七成八，增幅接近九倍，是全球科技企業首次單季經營溢利突破百萬億韓圜門檻，主要受DRAM與NAND快閃記憶體價格大幅上揚帶動。

換言之，今次股價急挫並非源於企業盈利轉差，而是市場對於「AI資本開支是否已到頂」、「南韓記憶體雙雄的技術護城河會否被內地廠商追上」的結構性疑慮，疊加回購支撐力減退與美債高息環境，多重因素同時發酵所致。對於長線投資者而言，如何區分短期資金面波動與長遠產業格局變化，將成為未來一段時間判斷AI晶片股走勢的關鍵。

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