【記憶體大缺貨】DRAM Q3恐飆兩成 NAND急升四成 美光SanDisk概念股全面吸金
記憶體晶片價格正迎來新一輪急升。據財經媒體報道引述分析機構預測,DRAM(動態隨機存取記憶體)合約價格預計在今年第三季按季上漲 15% 至 20%,第四季再進一步上漲約 15%,兩季複合升幅估計達 32% 至 38%;NAND 快閃記憶體的升勢更為凌厲,第三季價格預計飆升 30% 至 40%,第四季再多升約 15%,兩季複合升幅估計高達 50% 至 61%。分析指出,今次漲價潮的核心推手是人工智能(AI)伺服器與數據中心對記憶體的龐大需求,疊加供應端產能持續偏緊,令記憶體正由過往的「消耗性商品」,逐步轉型為 AI 基建不可或缺的「戰略資產」。
【供應告急】美光僅能滿足一半數據中心訂單
今次記憶體漲價潮的緊張程度,從供應端的實際數字可見一斑。據公開資料顯示,美光(Micron)高層在近期一場科技業論壇上透露,公司目前於數據中心業務方面,往往只能滿足客戶需求的一半左右,反映供應缺口極為嚴峻。有公司高層表示,客戶一致將「DRAM 供應」列為首要瓶頸,其重要性甚至超越電力、機房空間或邏輯晶圓等其他生產要素。市場消息又指,公司預期 2027 年的供需狀況將較 2026 年更為緊張,意味記憶體短缺並非一次性現象,而可能是延續多年的結構性趨勢。這種「賣方市場」格局,正是分析機構敢於預測未來兩季價格持續大幅上漲的重要依據。
【AI 效應】伺服器需求擠壓消費級供應
記憶體今輪漲價潮與過往週期性波動的最大分別,在於需求結構的根本轉變。據報道,人工智能伺服器及雲端數據中心廠商正大舉搶購高階 DRAM 與企業級儲存產品,用以支援大型語言模型訓練及推理運算,令記憶體生產商優先將產能投放於高毛利的伺服器及高頻寬記憶體(HBM)產品,相對擠壓消費級記憶體(如個人電腦、手機用晶片)的供應空間。有分析機構的獨立預測亦顯示,第三季伺服器用 DRAM 合約價格按季升幅介乎 13% 至 18%,方向與 KeyBanc 的預測一致,惟具體升幅估算略有差異,反映各機構對 AI 需求強度的判斷仍存在分歧,但「供不應求」已成市場共識。
【概念股狂歡】美光SanDisk SK Hynix齊受惠
記憶體漲價預期已迅速反映在相關企業的股價表現上。美光股價近期屢創新高,市場消息指其存貨已因供應緊張獲多間大行上調目標價;SanDisk 方面,其數據中心儲存業務收入按年大幅增長,反映 NAND 快閃記憶體正加速由「商品」蛻變為 AI 時代的核心資產;SK Hynix 亦憑藉其在高頻寬記憶體市場的領先地位,成為今輪 AI 記憶體熱潮的主要受惠者之一。三間公司股價近期均錄得顯著升幅,市場資金明顯押注記憶體供應緊張格局將延續至 2026 年第四季甚至更長時間。與此同時,有報道指南韓另一大型記憶體生產商亦已調升部分產品出廠價格,升幅最高達六成,進一步印證行業性漲價已非個別現象。
| 產品 | Q3 2026 預測升幅 | Q4 2026 預測升幅 | 相關概念股 |
|---|---|---|---|
| DRAM | 按季 +15% 至 +20% | 再升約 +15% | 美光 (MU)、SK Hynix |
| NAND 快閃記憶體 | 按季 +30% 至 +40% | 再升約 +15% | SanDisk (SNDK)、美光 |
| 伺服器用 DRAM(另一估算) | 按季 +13% 至 +18% | 暫未有具體數字 | 美光、SK Hynix |
| 高頻寬記憶體 (HBM) | 供不應求,價格持續高企 | 市場預期明年升幅可能倍增 | SK Hynix、美光 |
【市場展望】結構性缺貨定週期性炒作?
面對記憶體價格連續兩季預期大幅上漲,市場亦開始討論這波升浪能否持續。支持「結構性短缺」論者指出,AI 基建投資屬長期資本開支,加上主要生產商已透過長期供應協議鎖定產能,供應緊張格局短期內難以逆轉;但亦有聲音提醒,記憶體行業過往曾多次出現「加價—擴產—價格回落」的週期性循環,若未來一年內主要廠商大舉擴充產能,加上消費電子需求未見同步回暖,不排除價格升勢會較預期提早見頂。無論如何,這場由 AI 需求主導的記憶體漲價潮,其影響已不止於半導體板塊,亦將逐步傳導至個人電腦、手機及各類電子產品的終端定價,最終走向仍需視乎供需雙方後續動態而定。
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