【晶片戰】長鑫硬推HBM3E 良率僅兩三成　仍搶攻AI記憶體荒　兩個月內小批量開工

據報道，中國記憶體廠商長鑫儲存（CXMT）計劃在未來兩個月內，啟動HBM3E（第三代高頻寬記憶體增強版）的小批量生產，目標是搶攻中國人工智慧（AI）晶片市場對先進記憶體的龐大需求。消息指，長鑫儲存目前的HBM3E良率僅介乎兩成至三成，遠遜於行業龍頭SK海力士約七成的水平。

兩個月倒數：長鑫儲存硬着頭皮衝產能

公開資料顯示，長鑫儲存早已向多家中國AI晶片設計公司送出HBM3E樣品，用作相容性測試。消息指，該公司計劃在未來兩個月內展開小批量生產，意味正式投產時間表已進入倒數階段。HBM3E屬於高頻寬記憶體家族，主要用於配搭AI處理器運作，是訓練大型AI模型不可或缺的關鍵零件。根據業界規格，HBM3E採用1024位元寬設計，單腳速率可達每秒9.2至12.4 Gbps，若以每秒9.6 Gbps的典型配置計算，總頻寬可達1.2 TB/s，性能遠高於上一代產品。

良率懸殊：兩三成對七成技術鴻溝

然而，良率問題成為長鑫儲存量產路上最大的攔路虎。據報道，該公司目前HBM3E的良率僅約兩成至三成，意味每生產100顆晶片，最多只有30顆可供使用，其餘近七成屬於次品，須被淘汰或降級處理。相比之下，南韓記憶體巨頭SK海力士同類產品的良率約達七成，差距接近一倍以上。消息更指，長鑫儲存產品在測試中的實際表現，較接近SK海力士上一代HBM3的水平，未能真正追上對手現行HBM3E的技術規格，反映中國記憶體廠在先進封裝與堆疊技術上，仍與國際一線廠商存在明顯差距。

AI晶片記憶體荒：低良率都要硬上產業邏輯

既然良率如此落後，為何長鑫儲存仍要急於量產？背後與美國出口管制及中國AI晶片產業鏈的供應壓力有關。自2024年12月起，美國已對先進HBM記憶體實施部分出口限制，令中國AI晶片企業難以透過正常渠道，取得來自SK海力士、三星或美光等國際廠商的先進記憶體產品。在此背景下，包括阿里巴巴旗下平頭哥半導體、寒武紀科技等多家中國AI晶片設計公司，近期均在測試HBM3E與其處理器的相容性，若進度順利，最快明年即可在產品中採用長鑫儲存的HBM3E。換言之，即使良率偏低、生產成本因而大增，長鑫儲存仍寧願硬上量產，以填補中國AI產業鏈在先進記憶體供應上的缺口。業內人士分析指，中國晶片製造商近月亦曾因記憶體供應緊張而調高AI晶片售價，升幅介乎兩成至五成，進一步反映供應緊張的程度。

長遠佈局：2027年擴產能否追落後？

消息指，長鑫儲存目前的小批量生產僅屬第一步，公司計劃在2027年進一步擴大HBM3E的生產規模，並爭取將動態隨機存取記憶體（DRAM）月產能提升至35萬片晶圓的水平。市場分析普遍認為，即使長鑫儲存成功解決良率問題，與SK海力士、三星及美光等國際龍頭相比，技術層面仍存在約三至五年的差距，要真正縮窄差距，仍需時間及持續的資本投入。

長鑫儲存以低良率換取量產時間表，反映中國AI晶片產業鏈在先進記憶體供應上的迫切程度，亦揭示中美晶片角力下，中國廠商正不惜成本建立本地供應鏈。惟技術差距仍然存在，長鑫儲存能否在2027年擴產階段同步提升良率及性能，追近國際一線水平，最終仍需視乎後續產能爬坡與市場反應而定。

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